ROM & RAM

ROM（Read Only Memory）

ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，如光盘CD-ROM，可以保存文件，且只能读取。
RAM（Random Access Memory）

RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，如计算机的内存条就是RAM，关机后内存数据被自动清空。

PROM & EPROM && EEROM

ROM又可分为几类

PROM

可编程的ROM，但只能写入一次（有点像光盘，只能刻录一次），这种是早期的产品，现在已经不用了。
EPROM

通过紫外光的照射擦出原先的程序，现在也不用了。
EEPROM

电可擦除，如学习单片机时用到的AT24C02芯片，大小为2K，用于保存少量掉电不丢失的数据，单片机通过IIC来读写这个EEPROM的内容。

SRAM & DRAM

RAM又可分为两大类

SRAM（Static RAM）

SRAM即静态RAM，读写速度非常快，但价格也较贵，用于CPU的一级缓冲，二级缓冲。

单片机中也有SRAM，如STM32F103VET6具有64K的SRAM，用于程序运行时变量、堆栈的暂存等，另外，还可通过FSMC接口来扩展外部SRAM，如1M字节的IS62WV51216外部SRAM芯片，用于需要大量数据计算的场合（跑算法、GUI）。
DRAM（Dynamic RAM）

即动态RAM，保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢（但比任何的ROM快），计算机内存就是DRAM。

DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等。
- SDRAM（Synchronous Dynamic RAM）
  
  同步动态随机存储器，主要不要误以为它是上面两种的组合！同步指存储器工作需要同步时钟，动态指刷新来保证数据不丢失，随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写。
- DDR RAM
  
  计算机内存条常说的DDR3、DDR4。

NAND Flash & NOR Flash

FLASH存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具有电可擦除可编程（EEPROM）的功能，还不会断电丢失数据，同时可以快速读取数据（NVRAM的优势），U盘使用这种存储器。

Flash

如单片机中的flash，就是用于保存程序，如STM32F103VET6具有512K的Flash。

单片机还可以外接Flash，如W25Q128，16M大小，可用于保存图片等较大的数据，单片机通过SPI来读写其内容。
NOR Flash

它的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样，用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。

NOR的特点是应用简单、无需专门的接口电路、传输效率高，它是属于芯片内执行(XIP, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在（NOR型）flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。
NAND Flash

NANDFlash的存储容量比NORFlash大，如K9F1208U08为64M。它没有采取内存的随机读取技术，而是以一次读取一块的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行NAND Flash上的代码，因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flah以外，还配了一块小的NOR Flash来运行启动代码。

NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。
两者对比
- NOR Flash的读取速度比NAND稍快一些。
- NAND Flash的写入速度比NOR快很多。
- NAND Flash的4ms擦除速度远比NOR的5s快。　　
- NAND Flash擦除单元更小，相应的擦除电路更少。
- NOR Flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易的存取其内部的每一字节。
- NAND Flash使用复杂的I/O口串行存取数据，8个引脚用来传送控制、地址和数据信息，时序较复杂。
- NOR Flash一般容量较小，工艺较复杂，所以成本较高。
- NAND Flash的生产工较为简单，因此其容量较大，价格更低。